檢索結果：共4筆資料 檢索策略： "林榮慶".ccommittee (精準) and ckeyword.raw="化學機械拋光"
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本研究先建立不同研磨液體積濃度及不同研磨液研磨顆粒直徑之無花紋研磨墊化學機械拋光矽晶圓的研磨移除深度理論模擬模式。我們先將矽晶圓浸泡在常溫下不同體積濃度研磨液後,接著進行原子力顯微鏡實驗,計算得出浸…
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本研究先建立不同研磨液溫度及不同研磨液體積濃度之無花紋研磨墊化學機械拋光矽晶圓的研磨移除深度理論模擬模式。我們先將矽晶圓浸泡在不同溫度及不同體積濃度研磨液後,接著進行原子力顯微鏡實驗,計算得出浸泡不…
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隨著電子電力系統需求的規格逐年提升，碳化矽（Silicon Carbide, SiC）被視為未來高功率元件的理想材料，但因SiC本身的高硬度及高抗化學性，使其在化學機械拋光（Chemical Mec…
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單晶碳化矽晶圓在LED照明及高功率元件市場的潛力極大，目前單晶碳化矽晶圓的製造過程面臨許多挑戰，其最重要為碳化矽之高硬度及高抗化學性特性造成在化學機械拋光(Chemical Mechanical P…